Kaufen Nexperia USA Inc. PMPB10XNE,115 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

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Datenblätter

PMPB10XNE,115

MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Artikelnummer

PMPB10XNE,115

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

6-DFN2020MD (2x2)

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2175pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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