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PHD101NQ03LT,118

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

Artikelnummer

PHD101NQ03LT,118

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

DPAK

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2180pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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