Kaufen Nexperia USA Inc. PHB21N06LT,118 MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK

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Datenblätter

PHB21N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK

Artikelnummer

PHB21N06LT,118

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

56W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

650pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±15V

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