Kaufen Nexperia USA Inc. PH3120L,115 MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK

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Datenblätter

PH3120L,115

MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK

Artikelnummer

PH3120L,115

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-100, SOT-669

Gerätepaket des Lieferanten

LFPAK56, Power-SO8

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4457pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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