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NX138BKR

NX138BKR

MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Artikelnummer
NX138BKR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-236AB (SOT23)
Verlustleistung (max.)
310mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.49nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
20.2pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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