Kaufen Nexperia USA Inc. BSS84AKMB,315 MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN

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Datenblätter

BSS84AKMB,315

MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN

Artikelnummer

BSS84AKMB,315

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

3-DFN1006B (0.6x1)

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

230mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

36pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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