Kaufen Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

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Datenblätter

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Artikelnummer

BSS806NEH6327XTSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT23-3

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.75V @ 11µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

529pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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