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BSP110,115
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Artikelnummer
BSP110,115
Hersteller/Marke
Serie
TrenchMOS™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-223
Verlustleistung (max.)
6.25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
40pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V
Vgs (Max)
±20V
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