Nexperia USA Inc.
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2N7002F,215
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2N7002F,215

MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
Artikelnummer
2N7002F,215
Hersteller/Marke
Nexperia USA Inc.
Serie
TrenchMOS™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-236AB (SOT23)
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.69nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
50pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±30V
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