Kaufen Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

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APTM50DHM65T3G

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

Artikelnummer

APTM50DHM65T3G

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP3

Leistung max

390W

Gerätepaket des Lieferanten

SP3

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

51A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

10800pF @ 25V

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