Kaufen Microsemi Corporation APTM100A13DG MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

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APTM100A13DG

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Artikelnummer

APTM100A13DG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP6

Leistung max

1250W

Gerätepaket des Lieferanten

SP6

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V (1kV)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

15200pF @ 25V

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