Kaufen Microsemi Corporation APTM120DA29TG MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

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APTM120DA29TG

MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Artikelnummer

APTM120DA29TG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP4

Gerätepaket des Lieferanten

SP4

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

10300pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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