Kaufen Microsemi Corporation APTM100H35FTG MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

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APTM100H35FTG

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Artikelnummer

APTM100H35FTG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP4

Leistung max

390W

Gerätepaket des Lieferanten

SP4

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V (1kV)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5200pF @ 25V

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