Kaufen Microsemi Corporation APTCV50H60T3G IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

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APTCV50H60T3G

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

Artikelnummer

APTCV50H60T3G

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP3

Leistung max

176W

Aufbau

Full Bridge

Gerätepaket des Lieferanten

SP3

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

80A

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

600V

Strom – Kollektorabschaltung (max.)

250µA

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Eingangskapazität (Cies) bei Vce

3.15nF @ 25V

Eingang

Standard

NTC-Thermistor

Yes

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