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APTC60AM35T1G

APTC60AM35T1G

MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Artikelnummer
APTC60AM35T1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
SP1
Leistung max
416W
Gerätepaket des Lieferanten
SP1
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 5.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
518nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
14000pF @ 25V
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