Kaufen Microsemi Corporation APTC80DA15T1G MOSFET N-CH 800V 28A SP1

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APTC80DA15T1G

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Artikelnummer

APTC80DA15T1G

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SP1

Gerätepaket des Lieferanten

SP1

Verlustleistung (max.)

277W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4507pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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