Kaufen Microsemi Corporation APT5010B2FLLG MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

APT5010B2FLLG

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Artikelnummer

APT5010B2FLLG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3 Variant

Gerätepaket des Lieferanten

T-MAX™ [B2]

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

46A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4360pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 39046 PCS

Kontaktinformationen