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VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
Artikelnummer
VN2110K1-G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3
Verlustleistung (max.)
360mW (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
50pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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