Kaufen Microchip Technology TP0606N3-G MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

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TP0606N3-G

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

Artikelnummer

TP0606N3-G

Hersteller/Marke

Microchip Technology

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gerätepaket des Lieferanten

TO-92-3

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

320mA (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

150pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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