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DN2535N3-G-P013

MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3

Artikelnummer

DN2535N3-G-P013

Hersteller/Marke

Microchip Technology

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gerätepaket des Lieferanten

TO-92 (TO-226)

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain-Source-Spannung (Vdss)

350V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120mA (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 Ohm @ 120mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

300pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

±20V

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