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SI2310-TP

SI2310-TP

N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2310-TP
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
247pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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