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SI2303-TP

SI2303-TP

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2303-TP
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
226pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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