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IXTM5N100A

POWER MOSFET TO-3

Artikelnummer

IXTM5N100A

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-204AA, TO-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-204AA

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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