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IXTM12N100

POWER MOSFET TO-3

Artikelnummer

IXTM12N100

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

GigaMOS™

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-204AA, TO-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-204AA

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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