Kaufen IXYS IXTI10N60P MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

China
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IXTI10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Artikelnummer

IXTI10N60P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

PolarHV™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-262 (I2PAK)

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1610pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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