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IXTH1N200P3

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Artikelnummer

IXTH1N200P3

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247 (IXTH)

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

2000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

23.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

646pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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