Kaufen IXYS IXKT70N60C5 MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

China
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IXKT70N60C5

MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

Artikelnummer

IXKT70N60C5

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-268

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

68A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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