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IXKR25N80C

IXKR25N80C

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXKR25N80C
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
ISOPLUS247™
Gerätepaket des Lieferanten
ISOPLUS247™
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
355nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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