Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFY8N65X2
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFY8N65X2
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252AA
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
790pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 8461 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFY8N65X2
IXFY8N65X2 Elektronische Komponenten
IXFY8N65X2 Verkäufe
IXFY8N65X2 Anbieter
IXFY8N65X2 Verteiler
IXFY8N65X2 Datentabelle
IXFY8N65X2 Fotos
IXFY8N65X2 Preis
IXFY8N65X2 Angebot
IXFY8N65X2 Geringster Preis
IXFY8N65X2 Suchen
IXFY8N65X2 Einkauf
IXFY8N65X2 Chip