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IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Artikelnummer
IXFT18N100Q3
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4890pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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