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IXFR180N10
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFR180N10
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
ISOPLUS247™
Gerätepaket des Lieferanten
ISOPLUS247™
Verlustleistung (max.)
400W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
9400pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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