Kaufen IXYS IXFR12N100 MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

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IXFR12N100

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

Artikelnummer

IXFR12N100

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

ISOPLUS247™

Gerätepaket des Lieferanten

ISOPLUS247™

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2900pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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