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IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Artikelnummer
IXFQ60N60X
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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