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IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Artikelnummer

IXFQ10N80P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-3P-3, SC-65-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-3P

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2050pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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