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IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Artikelnummer
IXFN320N17T2
Hersteller/Marke
Serie
GigaMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-227B
Verlustleistung (max.)
1070W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
170V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
640nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
45000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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