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IXFN320N17T2

MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Artikelnummer

IXFN320N17T2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

GigaMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SOT-227-4, miniBLOC

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-227B

Verlustleistung (max.)

1070W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

170V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

260A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

640nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

45000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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