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IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Artikelnummer

IXFN100N10S2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SOT-227-4, miniBLOC

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-227B

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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