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IXFN160N30T

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Artikelnummer

IXFN160N30T

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

GigaMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SOT-227-4, miniBLOC

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-227B

Verlustleistung (max.)

900W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

300V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

130A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

28000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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