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IXCP01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220

Artikelnummer

IXCP01N90E

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

250mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

133pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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