Kaufen Infineon Technologies SPN02N60C3 MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

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SPN02N60C3

MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Artikelnummer

SPN02N60C3

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT223-4

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

400mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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