Kaufen Infineon Technologies SPB80N03S2L-04 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SPB80N03S2L-04

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Artikelnummer

SPB80N03S2L-04

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO263-3-2

Verlustleistung (max.)

188W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3900pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 20796 PCS

Kontaktinformationen