Kaufen Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

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Datenblätter

SPB02N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

Artikelnummer

SPB02N60S5ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO263-3-2

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 80µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

240pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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