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IRG7CH30K10EF

IGBT CHIP WAFER

Artikelnummer

IRG7CH30K10EF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Eingabetyp

Standard

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

Die

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

Die

Reverse Recovery Time (trr)

Strom - Kollektor (Ic) (Max)

10A

Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)

1200V

IGBT-Typ

Trench

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.56V @ 15V, 10A

Strom – Kollektor gepulst (Icm)

Energie wechseln

Gate-Gebühr

4.8nC

Td (ein/aus) bei 25 °C

10ns/90ns

Testbedingung

600V, 10A, 22 Ohm, 15V

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