Kaufen Infineon Technologies IRFI1310N MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

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IRFI1310N

MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

Artikelnummer

IRFI1310N

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3 Full Pack

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB Full-Pak

Verlustleistung (max.)

56W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1900pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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