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IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Artikelnummer
IRF7907PBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Verpackung
Tube
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
2W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
850pF @ 15V
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