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IRF7103PBF

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Artikelnummer

IRF7103PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Not For New Designs

Verpackung

Tube

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

290pF @ 25V

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