Kaufen Infineon Technologies IRF7807ATRPBF MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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Datenblätter

IRF7807ATRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Artikelnummer

IRF7807ATRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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