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IRF7706TRPBF

MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP

Artikelnummer

IRF7706TRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

Verlustleistung (max.)

1.51W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2211pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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