Kaufen Infineon Technologies IRF7702GTRPBF MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP

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Datenblätter

IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP

Artikelnummer

IRF7702GTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3470pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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