Kaufen Infineon Technologies IRF7329TRPBF MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

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Datenblätter

IRF7329TRPBF

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

Artikelnummer

IRF7329TRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3450pF @ 10V

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