Kaufen Infineon Technologies IRF40H210 MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

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Datenblätter

IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Artikelnummer

IRF40H210

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PQFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 150µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5406pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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